0 0 0
  8. SIE808DF-T1-E3

Транзисторы с каналом N SMD SIE808DF-T1-E3

 
SIE808DF-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 847086
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
183.43 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм(1479571)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIE808DF-T1-E3
VISHAY
Артикул: 847086
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
183.43 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
155нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g