0 0 0
  8. SIE818DF-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIE818DF-T1-GE3

 
SIE818DF-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847078
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
198.52 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
12,5мОм(1441540)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
95нC(1609950)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIE818DF-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847078
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
198.52 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
12,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
95нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g