0 0 0
  8. SIHB053N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB053N60E-GE3

 
SIHB053N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846952
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
484.02 грн
3+
362.82 грн
8+
342.35 грн
1000+
329.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
47А(1479369)
Сопротивление в открытом состоянии
54мОм(1479355)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
278Вт(1741771)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
92нC(1479457)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
128А(1823202)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB053N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 846952
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
484.02 грн
3+
362.82 грн
8+
342.35 грн
1000+
329.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
47А
Сопротивление в открытом состоянии
54мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
278Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
92нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
128А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g