0 0 0
  8. SIHB11N80AE-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB11N80AE-GE3

 
SIHB11N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778382
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.99 грн
5+
133.85 грн
10+
105.96 грн
25+
105.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
78Вт(1708589)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
22А(1801380)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB11N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 778382
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.99 грн
5+
133.85 грн
10+
105.96 грн
25+
105.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
78Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
42нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
22А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g