0 0 0
  8. SIHB125N60EF-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB125N60EF-GE3

 
SIHB125N60EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778404
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
366.42 грн
4+
262.07 грн
11+
248.53 грн
500+
243.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
179Вт(1741798)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
47нC(1610022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
66А(1742462)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB125N60EF-GE3
VISHAY
Артикул: 778404
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
366.42 грн
4+
262.07 грн
11+
248.53 грн
500+
243.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
179Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
47нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
66А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g