0 0 0
  8. SIHB12N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB12N60E-GE3

 
SIHB12N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077402
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.36 грн
10+
122.02 грн
12+
89.32 грн
31+
84.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
7,8А(1492321)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
147Вт(1741770)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
58нC(1478954)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB12N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 077402
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
144.36 грн
10+
122.02 грн
12+
89.32 грн
31+
84.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
7,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
147Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
58нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g