0 0 0
  8. SIHB15N50E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB15N50E-GE3

 
SIHB15N50E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778569
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
193.56 грн
5+
173.65 грн
8+
138.60 грн
20+
130.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
9,2А(1479191)
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
66нC(1512593)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB15N50E-GE3
VISHAY
Артикул: 778569
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
193.56 грн
5+
173.65 грн
8+
138.60 грн
20+
130.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
9,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
66нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g