0 0 0
  8. SIHB180N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB180N60E-GE3

 
SIHB180N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778643
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.49 грн
5+
231.00 грн
6+
184.80 грн
15+
174.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
33нC(1479084)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
44А(1789214)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB180N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778643
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.49 грн
5+
231.00 грн
6+
184.80 грн
15+
174.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
33нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
44А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g