0 0 0
  8. SIHB20N50E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB20N50E-GE3

 
SIHB20N50E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778556
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
254.90 грн
5+
230.21 грн
6+
182.41 грн
15+
172.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
184мОм(1805211)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
179Вт(1741798)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
92нC(1479457)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
42А(1789234)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB20N50E-GE3
VISHAY
Артикул: 778556
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
254.90 грн
5+
230.21 грн
6+
182.41 грн
15+
172.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
184мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
179Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
92нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
42А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g