0 0 0
  8. SIHB21N65EF-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB21N65EF-GE3

 
SIHB21N65EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778610
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
414.07 грн
4+
294.06 грн
10+
278.17 грн
500+
276.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
208Вт(1741773)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
106нC(1747350)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
53А(1810500)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB21N65EF-GE3
VISHAY
Артикул: 778610
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
414.07 грн
4+
294.06 грн
10+
278.17 грн
500+
276.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
208Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
106нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
53А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g