0 0 0
  8. SIHB22N60AE-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB22N60AE-GE3

 
SIHB22N60AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
321.81 грн
5+
230.21 грн
12+
217.46 грн
500+
214.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
51А(1479374)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
443нC(1960074)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
268А(1823190)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB22N60AE-GE3
VISHAY
Артикул: 778558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
321.81 грн
5+
230.21 грн
12+
217.46 грн
500+
214.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
51А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
443нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
268А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g