0 0 0
  8. SIHB23N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB23N60E-GE3

 
SIHB23N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778612
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
266.85 грн
5+
240.56 грн
6+
191.18 грн
15+
180.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
158мОм(1778019)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
227Вт(1741842)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
95нC(1609950)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
63А(1801399)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB23N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778612
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
266.85 грн
5+
240.56 грн
6+
191.18 грн
15+
180.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
158мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
227Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
95нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
63А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g