0 0 0
  8. SIHB24N65EF-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB24N65EF-GE3

 
SIHB24N65EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778636
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
493.46 грн
3+
354.16 грн
8+
334.48 грн
500+
328.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
156мОм(1811022)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
122нC(1701221)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
65А(1759382)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB24N65EF-GE3
VISHAY
Артикул: 778636
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
493.46 грн
3+
354.16 грн
8+
334.48 грн
500+
328.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
156мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
122нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
65А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g