0 0 0
  8. SIHB35N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB35N60E-GE3

 
SIHB35N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778275
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
536.61 грн
3+
390.55 грн
8+
369.91 грн
500+
358.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
132нC(1747344)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB35N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778275
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
536.61 грн
3+
390.55 грн
8+
369.91 грн
500+
358.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
132нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g