0 0 0
  8. SIHD12N50E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD12N50E-GE3

 
SIHD12N50E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778420
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.91 грн
5+
102.76 грн
13+
82.05 грн
34+
77.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
6,6А(1479161)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
114Вт(1741844)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
50нC(1479381)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
21А(1789230)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD12N50E-GE3
VISHAY
Артикул: 778420
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.91 грн
5+
102.76 грн
13+
82.05 грн
34+
77.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
6,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
114Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
50нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
21А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g