0 0 0
  8. SIHD14N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD14N60E-GE3

 
SIHD14N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778604
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
169.87 грн
5+
152.41 грн
9+
123.04 грн
23+
115.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
309мОм(1960045)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
147Вт(1741770)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
64нC(1633539)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD14N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778604
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
169.87 грн
5+
152.41 грн
9+
123.04 грн
23+
115.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
309мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
147Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
64нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g