0 0 0
  8. SIHD180N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD180N60E-GE3

 
SIHD180N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778270
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
221.72 грн
5+
199.39 грн
7+
157.91 грн
18+
149.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
0,195Ом(1632938)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD180N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778270
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
221.72 грн
5+
199.39 грн
7+
157.91 грн
18+
149.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
0,195Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
32нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g