0 0 0
  8. SIHD2N80AE-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD2N80AE-GE3

 
SIHD2N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 428219
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.10 грн
5+
103.99 грн
12+
87.32 грн
32+
82.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 24 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1,8А(1492260)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
62,5Вт(1702079)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10,5нC(1609889)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3,6А(1817528)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,326 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD2N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 428219
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.10 грн
5+
103.99 грн
12+
87.32 грн
32+
82.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 24 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
10,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,326 g