0 0 0
  8. SIHD2N80E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD2N80E-GE3

 
SIHD2N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778366
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.38 грн
5+
81.66 грн
16+
64.22 грн
42+
61.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1,8А(1492260)
Сопротивление в открытом состоянии
2,75Ом(1743215)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
62,5Вт(1702079)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
19,6нC(1775144)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
5А(1790204)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD2N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 778366
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.38 грн
5+
81.66 грн
16+
64.22 грн
42+
61.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
2,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
19,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g