0 0 0
  8. SIHD3N50D-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD3N50D-GE3

 
SIHD3N50D-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778646
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.77 грн
5+
45.74 грн
25+
40.98 грн
31+
32.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
1,9А(1479102)
Сопротивление в открытом состоянии
3,2Ом(1512592)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
69Вт(1708603)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
5,5А(1884196)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD3N50D-GE3
VISHAY
Артикул: 778646
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.77 грн
5+
45.74 грн
25+
40.98 грн
31+
32.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
1,9А
Сопротивление в открытом состоянии
3,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
69Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
5,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g