0 0 0
  8. SIHD4N80E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD4N80E-GE3

 
SIHD4N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778557
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
125.53 грн
5+
112.82 грн
11+
89.78 грн
31+
85.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
1,27Ом(1960043)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
69Вт(1708603)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
11А(1801431)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD4N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 778557
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
125.53 грн
5+
112.82 грн
11+
89.78 грн
31+
85.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,27Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
69Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
32нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
11А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g