0 0 0
  8. SIHD5N50D-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD5N50D-GE3

 
SIHD5N50D-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778402
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
53.37 грн
24+
42.62 грн
64+
40.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
3,4А(1479117)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD5N50D-GE3
VISHAY
Артикул: 778402
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
53.37 грн
24+
42.62 грн
64+
40.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
3,4А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g