0 0 0
  8. SIHD6N62E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD6N62E-GE3

 
SIHD6N62E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778377
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
91.72 грн
5+
82.94 грн
16+
65.40 грн
42+
61.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
620В(1609987)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
78Вт(1708589)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD6N62E-GE3
VISHAY
Артикул: 778377
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
91.72 грн
5+
82.94 грн
16+
65.40 грн
42+
61.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
620В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
78Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
34нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g