0 0 0
  8. SIHD6N80AE-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD6N80AE-GE3

 
SIHD6N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778442
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.03 грн
5+
77.27 грн
16+
62.13 грн
44+
58.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,2А(1492373)
Сопротивление в открытом состоянии
0,95Ом(1492414)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
62,5Вт(1702079)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22,5нC(1936830)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD6N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 778442
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.03 грн
5+
77.27 грн
16+
62.13 грн
44+
58.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g