0 0 0
  8. SIHF12N65E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHF12N65E-GE3

 
SIHF12N65E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780679
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 33Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
162.08 грн
5+
146.19 грн
9+
116.80 грн
24+
110.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHF12N65E-GE3
VISHAY
Артикул: 780679
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 33Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
162.08 грн
5+
146.19 грн
9+
116.80 грн
24+
110.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
70нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g