0 0 0
  8. SIHF610S-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHF610S-GE3

 
SIHF610S-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778386
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.15 грн
5+
42.22 грн
25+
37.28 грн
30+
33.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
2,1А(1479110)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,2нC(1610008)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHF610S-GE3
VISHAY
Артикул: 778386
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.15 грн
5+
42.22 грн
25+
37.28 грн
30+
33.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
2,1А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g