Транзисторы с каналом N SMD SIHF644S-GE3

 
SIHF644S-GE3
 
Артикул: 778428
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.81 грн
5+
82.05 грн
16+
62.13 грн
44+
58.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 994 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
8,5А(1479174)
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
68нC(1479515)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
56А(1789201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,49 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHF644S-GE3
VISHAY
Артикул: 778428
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.81 грн
5+
82.05 грн
16+
62.13 грн
44+
58.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 994 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
8,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
68нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
56А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,49 g