0 0 0
  8. SIHF840S-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHF840S-GE3

 
SIHF840S-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778492
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.40 грн
5+
79.45 грн
16+
62.77 грн
44+
59.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
5,1А(1479146)
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом(1459319)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
63нC(1479469)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHF840S-GE3
VISHAY
Артикул: 778492
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.40 грн
5+
79.45 грн
16+
62.77 грн
44+
59.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
5,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
63нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g