0 0 0
  8. SIHF9530S-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIHF9530S-GE3

 
SIHF9530S-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794772
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.33 грн
5+
50.49 грн
25+
44.61 грн
27+
38.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 965 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-8,2А(1492314)
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
88Вт(1741738)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-48А(1789203)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,473 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIHF9530S-GE3
VISHAY
Артикул: 794772
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.33 грн
5+
50.49 грн
25+
44.61 грн
27+
38.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 965 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-8,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
88Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,473 g