0 0 0
  8. SIHFBC30AS-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFBC30AS-GE3

 
SIHFBC30AS-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778422
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.16 грн
5+
82.63 грн
15+
65.95 грн
42+
62.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
2,3А(1441508)
Сопротивление в открытом состоянии
2,2Ом(1441396)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
74Вт(1708592)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
14А(1709893)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFBC30AS-GE3
VISHAY
Артикул: 778422
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.16 грн
5+
82.63 грн
15+
65.95 грн
42+
62.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
2,3А
Сопротивление в открытом состоянии
2,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
74Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
14А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g