0 0 0
  8. SIHFBE30L-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHFBE30L-GE3

 
SIHFBE30L-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778567
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
151.01 грн
5+
135.91 грн
10+
108.09 грн
25+
107.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO262(1478942) I2PAK(1600260)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
78нC(1609951)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHFBE30L-GE3
VISHAY
Артикул: 778567
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
151.01 грн
5+
135.91 грн
10+
108.09 грн
25+
107.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO262
Корпус
I2PAK
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g