0 0 0
  8. SIHFBF30S-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFBF30S-GE3

 
SIHFBF30S-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778278
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,3А; Idm: 14А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.96 грн
5+
135.86 грн
10+
108.06 грн
26+
102.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
2,3А(1441508)
Сопротивление в открытом состоянии
3,7Ом(1441600)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
78нC(1609951)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
14А(1709893)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFBF30S-GE3
VISHAY
Артикул: 778278
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,3А; Idm: 14А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.96 грн
5+
135.86 грн
10+
108.06 грн
26+
102.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
2,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
78нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
14А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g