0 0 0
  8. SIHFR010-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFR010-GE3

 
SIHFR010-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846909
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
38.60 грн
25+
36.45 грн
33+
30.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
8,2А(1492461)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
33А(1810524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR010-GE3
VISHAY
Артикул: 846909
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
38.60 грн
25+
36.45 грн
33+
30.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
8,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
33А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g