0 0 0
  8. SIHFR024-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFR024-GE3

 
SIHFR024-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778607
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
44.02 грн
25+
38.84 грн
29+
35.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
56А(1789201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR024-GE3
VISHAY
Артикул: 778607
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
44.02 грн
25+
38.84 грн
29+
35.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
56А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g