Транзисторы с каналом N SMD SIHFR1N60A-GE3

 
SIHFR1N60A-GE3
 
Артикул: 077404
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.95 грн
5+
60.57 грн
20+
53.48 грн
22+
45.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 89 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
0,98А(1737241)
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом(1441589)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,248 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR1N60A-GE3
VISHAY
Артикул: 077404
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.95 грн
5+
60.57 грн
20+
53.48 грн
22+
45.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 89 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
0,98А
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
14нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,248 g