0 0 0
  8. SIHFR210TRL-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFR210TRL-GE3

 
SIHFR210TRL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778453
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,7А; Idm: 10А; 25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
40.52 грн
25+
36.47 грн
34+
29.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
1,7А(1441494)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,2нC(1610008)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR210TRL-GE3
VISHAY
Артикул: 778453
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,7А; Idm: 10А; 25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
40.52 грн
25+
36.47 грн
34+
29.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
1,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g