0 0 0
  8. SIHFR310-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFR310-GE3

 
SIHFR310-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,1А; Idm: 6А; 25Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
45.60 грн
25+
41.00 грн
31+
32.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
400В(1441321)
Ток стока
1,1А(1492262)
Сопротивление в открытом состоянии
3,6Ом(1492334)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR310-GE3
VISHAY
Артикул: 778552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,1А; Idm: 6А; 25Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
45.60 грн
25+
41.00 грн
31+
32.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
400В
Ток стока
1,1А
Сопротивление в открытом состоянии
3,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g