0 0 0
  8. SIHFR320TR-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFR320TR-GE3

 
SIHFR320TR-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778550
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.42 грн
5+
48.33 грн
25+
43.55 грн
29+
34.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
400В(1441321)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR320TR-GE3
VISHAY
Артикул: 778550
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.42 грн
5+
48.33 грн
25+
43.55 грн
29+
34.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
400В
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g