Транзисторы с каналом N SMD SIHFR420ATR-GE3

 
SIHFR420ATR-GE3
 
Артикул: 778299
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,1А; Idm: 10А; 83Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
52.44 грн
24+
42.11 грн
65+
39.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
2,1А(1479110)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR420ATR-GE3
VISHAY
Артикул: 778299
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,1А; Idm: 10А; 83Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
52.44 грн
24+
42.11 грн
65+
39.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
2,1А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g