0 0 0
  8. SIHFR430A-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFR430A-GE3

 
SIHFR430A-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778507
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
53.03 грн
24+
42.87 грн
65+
40.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
3,2А(1492373)
Сопротивление в открытом состоянии
1,7Ом(1502513)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR430A-GE3
VISHAY
Артикул: 778507
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
53.03 грн
24+
42.87 грн
65+
40.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
3,2А
Сопротивление в открытом состоянии
1,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
24нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g