0 0 0
  8. SIHFR9310TR-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIHFR9310TR-GE3

 
SIHFR9310TR-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794761
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
48.74 грн
25+
43.90 грн
29+
35.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-400В(1492433)
Ток стока
-1,1А(1492337)
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом(1441589)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-7,2А(1811012)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIHFR9310TR-GE3
VISHAY
Артикул: 794761
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
48.74 грн
25+
43.90 грн
29+
35.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-400В
Ток стока
-1,1А
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-7,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g