0 0 0
  8. SIHFZ48RS-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHFZ48RS-GE3

 
SIHFZ48RS-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778392
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
157.32 грн
5+
141.43 грн
9+
112.82 грн
25+
106.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
290А(1960044)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFZ48RS-GE3
VISHAY
Артикул: 778392
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
157.32 грн
5+
141.43 грн
9+
112.82 грн
25+
106.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
110нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
290А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g