0 0 0
  8. SIHG64N65E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHG64N65E-GE3

 
SIHG64N65E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 40А; Idm: 202А; 520Вт; TO247AC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 030.35 грн
2+
748.57 грн
4+
707.98 грн
500+
686.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм(1610028)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
369нC(1960079)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
202А(1801451)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHG64N65E-GE3
VISHAY
Артикул: 780558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 40А; Idm: 202А; 520Вт; TO247AC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 030.35 грн
2+
748.57 грн
4+
707.98 грн
500+
686.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
369нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
202А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g