0 0 0
  8. SIHH100N60E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH100N60E-T1-GE3

 
SIHH100N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778305
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 63А; 174Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
571.84 грн
3+
405.95 грн
7+
383.62 грн
500+
380.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
174Вт(1520846)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
53нC(1479049)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
63А(1801399)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH100N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778305
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 63А; 174Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
571.84 грн
3+
405.95 грн
7+
383.62 грн
500+
380.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
174Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
53нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
63А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g