0 0 0
  8. SIHH105N60EF-T1GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH105N60EF-T1GE3

 
SIHH105N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 847043
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 59А; 174Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
350.98 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
26А(1441513)
Сопротивление в открытом состоянии
0,105Ом(1710956)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
174Вт(1520846)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
50нC(1479381)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
59А(1936840)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH105N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 847043
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 59А; 174Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
350.98 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
26А
Сопротивление в открытом состоянии
0,105Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
174Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
50нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
59А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g