0 0 0
  8. SIHH11N65E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH11N65E-T1-GE3

 
SIHH11N65E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778642
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 27А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
354.36 грн
4+
255.04 грн
11+
240.74 грн
500+
235.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
363мОм(1960015)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
68нC(1479515)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
27А(1741675)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH11N65E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778642
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 27А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
354.36 грн
4+
255.04 грн
11+
240.74 грн
500+
235.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
363мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
68нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
27А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g