0 0 0
  8. SIHH125N60EF-T1GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH125N60EF-T1GE3

 
SIHH125N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 778469
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 66А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
519.94 грн
3+
378.64 грн
8+
358.00 грн
500+
346.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
14А(1441298)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
47нC(1610022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
66А(1742462)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH125N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778469
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 66А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
519.94 грн
3+
378.64 грн
8+
358.00 грн
500+
346.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
14А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
47нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
66А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g