0 0 0
  8. SIHH14N65E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH14N65E-T1-GE3

 
SIHH14N65E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778251
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 56Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
432.07 грн
4+
311.66 грн
9+
295.13 грн
500+
288.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
56Вт(1520819)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
96нC(1609970)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
38А(1825889)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH14N65E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778251
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 56Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
432.07 грн
4+
311.66 грн
9+
295.13 грн
500+
288.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
56Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
96нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
38А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g