0 0 0
  8. SIHH14N65EF-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH14N65EF-T1-GE3

 
SIHH14N65EF-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778301
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,5А; Idm: 36А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
440.96 грн
4+
316.22 грн
9+
298.74 грн
500+
293.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
9,5А(1479197)
Сопротивление в открытом состоянии
271мОм(1936738)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
98нC(1632637)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH14N65EF-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778301
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,5А; Idm: 36А; 156Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
440.96 грн
4+
316.22 грн
9+
298.74 грн
500+
293.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
9,5А
Сопротивление в открытом состоянии
271мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
98нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g