Транзисторы с каналом N SMD SIHH180N60E-T1-GE3

 
SIHH180N60E-T1-GE3
 
Артикул: 778388
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
382.17 грн
4+
273.32 грн
10+
259.02 грн
25+
258.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
114Вт(1741844)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
33нC(1479084)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
44А(1789214)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH180N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778388
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
382.17 грн
4+
273.32 грн
10+
259.02 грн
25+
258.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
114Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
33нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
44А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g